| 高密度等离子体增强非平衡磁控溅射沉积Cu膜研究 | |
| 齐雪莲; 任春生; 马腾才; 刘峰 | |
| 刊名 | 大连理工大学学报
 |
| 2006 | |
| 卷号 | 46页码:473-477 |
| 关键词 | 非平衡磁控溅射 增强电离 Cu膜 |
| ISSN号 | 1000-8608 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5693342 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 齐雪莲,任春生,马腾才,等. 高密度等离子体增强非平衡磁控溅射沉积Cu膜研究[J]. 大连理工大学学报,2006,46:473-477. |
| APA | 齐雪莲,任春生,马腾才,&刘峰.(2006).高密度等离子体增强非平衡磁控溅射沉积Cu膜研究.大连理工大学学报,46,473-477. |
| MLA | 齐雪莲,et al."高密度等离子体增强非平衡磁控溅射沉积Cu膜研究".大连理工大学学报 46(2006):473-477. |
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