| 射频等离子体增强非平衡磁控溅射沉积技术 | |
| 齐雪莲; 任春生; 马腾才 | |
| 刊名 | 真空
 |
| 2006 | |
| 卷号 | 43页码:9-12 |
| 关键词 | 非平衡磁控溅射 ICP增强电离 薄膜沉积 |
| ISSN号 | 1002-0322 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5682368 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学,辽宁,大连,116024 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 齐雪莲,任春生,马腾才. 射频等离子体增强非平衡磁控溅射沉积技术[J]. 真空,2006,43:9-12. |
| APA | 齐雪莲,任春生,&马腾才.(2006).射频等离子体增强非平衡磁控溅射沉积技术.真空,43,9-12. |
| MLA | 齐雪莲,et al."射频等离子体增强非平衡磁控溅射沉积技术".真空 43(2006):9-12. |
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