| 沉积温度对Gd掺杂CeO2电解质薄膜生长及电学特性的影响 | |
| 马小叶; 姜雪宁; 孟宪芹; 庞胜利; 孟昕; 张庆瑜 | |
| 刊名 | 无机材料学报
 |
| 2008 | |
| 卷号 | 23页码:912-916 |
| 关键词 | Gd掺杂CeO2电解质薄膜 反应磁控溅射 薄膜生长 电学特性 |
| ISSN号 | 1000-324X |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5608070 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马小叶,姜雪宁,孟宪芹,等. 沉积温度对Gd掺杂CeO2电解质薄膜生长及电学特性的影响[J]. 无机材料学报,2008,23:912-916. |
| APA | 马小叶,姜雪宁,孟宪芹,庞胜利,孟昕,&张庆瑜.(2008).沉积温度对Gd掺杂CeO2电解质薄膜生长及电学特性的影响.无机材料学报,23,912-916. |
| MLA | 马小叶,et al."沉积温度对Gd掺杂CeO2电解质薄膜生长及电学特性的影响".无机材料学报 23(2008):912-916. |
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