| SiO_2/SiC界面过渡区结构研究 | |
| 朱巧智; 王德君; 赵亮; 李秀圣 | |
| 2008 | |
| 会议名称 | 第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议 |
| 会议日期 | 2008-12-01 |
| 会议地点 | 中国广东广州 |
| 关键词 | SiO_2/SiC界面 4H-SiC 变角X射线光电子能谱 缺陷 |
| 页码 | 3 |
| 会议录 | 第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议
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| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5590632 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 大连理工大学电子与信息工程学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱巧智,王德君,赵亮,等. SiO_2/SiC界面过渡区结构研究[C]. 见:第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议. 中国广东广州. 2008-12-01. |
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