| GaN肖特基器件电学性质的模拟研究 | |
| 胡其欣; 许金通; 储开慧; 李向阳; 刘骥 | |
| 刊名 | 激光与红外
 |
| 2008 | |
| 卷号 | 38期号:9页码:902-905 |
| 关键词 | 肖特基器件 界面层 本征层 隧穿效应 暗电流 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5572462 |
| 专题 | 山东大学 |
| 作者单位 | 1.山东大学信息科学与工程学院, 济南, 山东 250100, 中国. 2.山东大学信息科学与工程学院, 济南, 山东 250100, 中国. 3.中国科学院上海技术物 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡其欣,许金通,储开慧,等. GaN肖特基器件电学性质的模拟研究[J]. 激光与红外,2008,38(9):902-905. |
| APA | 胡其欣,许金通,储开慧,李向阳,&刘骥.(2008).GaN肖特基器件电学性质的模拟研究.激光与红外,38(9),902-905. |
| MLA | 胡其欣,et al."GaN肖特基器件电学性质的模拟研究".激光与红外 38.9(2008):902-905. |
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