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	Ab initio study on magnetism at GaN (100) and (101) surfaces
	Gao, Feng; Hu, Jifan; Yang, Chuanlu; Zheng, Yujun; Qin, Hongwei
刊名	SOLID STATE COMMUNICATIONS
	2009
卷号	149期号:41-42页码:1836-1839
关键词	Intrinsic defects Magnetic moment Ab initio
DOI	10.1016/j.ssc.2009.07.004
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5527259
专题	山东大学
作者单位	1.Shandong Univ, Dept Phys, Jinan 250100, Peoples R China. 2.[Gao, Feng 3.Hu, Jifan 4.Zheng, Yujun 5.Qi
推荐引用方式 GB/T 7714	Gao, Feng,Hu, Jifan,Yang, Chuanlu,et al. Ab initio study on magnetism at GaN (100) and (101) surfaces[J]. SOLID STATE COMMUNICATIONS,2009,149(41-42):1836-1839.
APA	Gao, Feng,Hu, Jifan,Yang, Chuanlu,Zheng, Yujun,&Qin, Hongwei.(2009).Ab initio study on magnetism at GaN (100) and (101) surfaces.SOLID STATE COMMUNICATIONS,149(41-42),1836-1839.
MLA	Gao, Feng,et al."Ab initio study on magnetism at GaN (100) and (101) surfaces".SOLID STATE COMMUNICATIONS 149.41-42(2009):1836-1839.

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