Tuning Bandgap of Si-C Heterofullerene-Based Aanotubes by H Adsorption | |
李继玲[1]; 杨国伟[1]; 赵明文[2]; 刘向东[2]; 夏曰源[2] | |
刊名 | 中国物理快报:英文版
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2010 | |
卷号 | 27期号:9页码:183-186 |
关键词 | 表面吸附 碳纳米管 带隙 调谐 硅 化学方法 大肠杆菌 掺杂改性 |
DOI | 10.1088/0256-307X/27/9/097101 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5516219 |
专题 | 山东大学 |
作者单位 | State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Institute of Optoelectronic and FunctionalComposite Materials, Nanot |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李继玲[1],杨国伟[1],赵明文[2],et al. Tuning Bandgap of Si-C Heterofullerene-Based Aanotubes by H Adsorption[J]. 中国物理快报:英文版,2010,27(9):183-186. |
APA | 李继玲[1],杨国伟[1],赵明文[2],刘向东[2],&夏曰源[2].(2010).Tuning Bandgap of Si-C Heterofullerene-Based Aanotubes by H Adsorption.中国物理快报:英文版,27(9),183-186. |
MLA | 李继玲[1],et al."Tuning Bandgap of Si-C Heterofullerene-Based Aanotubes by H Adsorption".中国物理快报:英文版 27.9(2010):183-186. |
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