快速退火对直流磁控溅射法制备的 AZO薄膜性能的影响 | |
姜丽莉; 辛艳青; 宋淑梅; 杨田林; 李延辉; 韩圣浩 | |
刊名 | 真空科学与技术学报
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2010 | |
卷号 | 30期号:3页码:302-305 |
关键词 | 快速退火 直流磁控溅射 AZO薄膜 光电特性 禁带宽度 |
DOI | 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.03.18 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5493370 |
专题 | 山东大学 |
作者单位 | 1.山东大学威海分校空间科学与物理学院, 威海, 山东 264209, 中国. 2.山东大学威海分校空间科学与物理学院, 威海, 山东 264209, 中国. 3.山 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜丽莉,辛艳青,宋淑梅,等. 快速退火对直流磁控溅射法制备的 AZO薄膜性能的影响[J]. 真空科学与技术学报,2010,30(3):302-305. |
APA | 姜丽莉,辛艳青,宋淑梅,杨田林,李延辉,&韩圣浩.(2010).快速退火对直流磁控溅射法制备的 AZO薄膜性能的影响.真空科学与技术学报,30(3),302-305. |
MLA | 姜丽莉,et al."快速退火对直流磁控溅射法制备的 AZO薄膜性能的影响".真空科学与技术学报 30.3(2010):302-305. |
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