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快速退火对直流磁控溅射法制备的 AZO薄膜性能的影响
姜丽莉; 辛艳青; 宋淑梅; 杨田林; 李延辉; 韩圣浩
刊名真空科学与技术学报
2010
卷号30期号:3页码:302-305
关键词快速退火 直流磁控溅射 AZO薄膜 光电特性 禁带宽度
DOI10.3969/j.issn.1672-7126.2010.03.18
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内容类型期刊论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5493370
专题山东大学
作者单位1.山东大学威海分校空间科学与物理学院, 威海, 山东 264209, 中国.
2.山东大学威海分校空间科学与物理学院, 威海, 山东 264209, 中国.
3.山
推荐引用方式
GB/T 7714
姜丽莉,辛艳青,宋淑梅,等. 快速退火对直流磁控溅射法制备的 AZO薄膜性能的影响[J]. 真空科学与技术学报,2010,30(3):302-305.
APA 姜丽莉,辛艳青,宋淑梅,杨田林,李延辉,&韩圣浩.(2010).快速退火对直流磁控溅射法制备的 AZO薄膜性能的影响.真空科学与技术学报,30(3),302-305.
MLA 姜丽莉,et al."快速退火对直流磁控溅射法制备的 AZO薄膜性能的影响".真空科学与技术学报 30.3(2010):302-305.
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