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	Gate leakage mechanisms in normally off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors
	Ning Xu; Ronghui Hao; Fu Chen; Xiaodong Zhang; Hui Zhang; Peipei Zhang; Xiaoyu Ding; Liang Song; Guohao Yu; Kai Cheng
刊名	Applied Physics Letters
	2018
卷号	Vol.113 No.15页码:152104
ISSN号	0003-6951
URL标识	查看原文
公开日期	[db:dc_date_available]
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5461925
专题	湖南大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Ning Xu,Ronghui Hao,Fu Chen,et al. Gate leakage mechanisms in normally off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors[J]. Applied Physics Letters,2018,Vol.113 No.15:152104.
APA	Ning Xu.,Ronghui Hao.,Fu Chen.,Xiaodong Zhang.,Hui Zhang.,...&Baoshun Zhang.(2018).Gate leakage mechanisms in normally off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors.Applied Physics Letters,Vol.113 No.15,152104.
MLA	Ning Xu,et al."Gate leakage mechanisms in normally off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors".Applied Physics Letters Vol.113 No.15(2018):152104.

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