| Effect of SiN：Hx passivation layer on the reverse gate leakage current in GaN HEMTs | |
| 张昇; 魏珂; 肖洋; 马晓华; 张一川; 刘果果; 雷天民; 郑英奎; 黄森; 汪宁 | |
| 刊名 | 中国物理B(英文版)
 |
| 2018 | |
| 卷号 | 第27卷 第9期页码:540-544 |
| 关键词 | HEMT 漏电流 钝化层 Fourier 表面形态学 反向 化学结合 电容电压 |
| ISSN号 | 1674-1056 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 公开日期 | [db:dc_date_available] |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5455807 |
| 专题 | 湖南大学 |
| 作者单位 | School of Advanced Materials and Nanotechnology,Xi'dian University,Xi' an 710071,China；High-Frequency High-Voltage Device and Integrated Circuits Center,Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张昇,魏珂,肖洋,等. Effect of SiN：Hx passivation layer on the reverse gate leakage current in GaN HEMTs[J]. 中国物理B(英文版),2018,第27卷 第9期:540-544. |
| APA | 张昇.,魏珂.,肖洋.,马晓华.,张一川.,...&刘新宇.(2018).Effect of SiN：Hx passivation layer on the reverse gate leakage current in GaN HEMTs.中国物理B(英文版),第27卷 第9期,540-544. |
| MLA | 张昇,et al."Effect of SiN：Hx passivation layer on the reverse gate leakage current in GaN HEMTs".中国物理B(英文版) 第27卷 第9期(2018):540-544. |
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