| Experimental Comparison of SiC MOSFET and BJT | |
| Shi, YZ; Liang, SW; Fang, F; Wang, J; IEEE | |
| 会议名称 | IEEE International Power Electronics and Application Conference and Exposition (IEEE PEAC) |
| 会议日期 | 2018 |
| 会议地点 | Shenzhen, PEOPLES R CHINA |
| 关键词 | Silicon Carbide (SiC) Bipolar Junction Transistor (BJT) MOSFET Power Loss Temperature Durability |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5452312 |
| 专题 | 湖南大学 |
| 作者单位 | Hunan Univ, Coll Elect & Informat Engn, Changsha, Hunan, Peoples R China |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Shi, YZ,Liang, SW,Fang, F,et al. Experimental Comparison of SiC MOSFET and BJT[C]. 见:IEEE International Power Electronics and Application Conference and Exposition (IEEE PEAC). Shenzhen, PEOPLES R CHINA. 2018. |
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