一种氮掺杂SiC基底的外延石墨烯背栅晶体管的制备方法 | |
王权[1]; 邵盈[2]; 任乃飞[3] | |
2014 | |
权利人 | 江苏大学 |
公开日期 | 2014-07-23 |
URL标识 | 查看原文 |
申请日期 | 2014-04-18 |
专利申请号 | CN201410156026.5 |
内容类型 | 专利 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5400878 |
专题 | 江苏大学 |
作者单位 | 江苏大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王权[1],邵盈[2],任乃飞[3]. 一种氮掺杂SiC基底的外延石墨烯背栅晶体管的制备方法. 2014-01-01. |
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