| MOVPE生长GaN的表面反应机理 | |
| 辛晓龙[1]; 左然[2]; 童玉珍[3]; 张国义[4] | |
| 刊名 | 发光学报
 |
| 2015 | |
| 卷号 | 36期号:7页码:744-750 |
| 关键词 | GaN薄膜 MOVPE DFT 表面反应 |
| ISSN号 | 1000-7032 |
| DOI | http://dx.doi.org/10.3788/fgxb20153607.0744 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | EI ; 中文核心期刊要目总览中国科技核心期刊CSCD |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5392456 |
| 专题 | 江苏大学 |
| 作者单位 | 1.江苏大学 能源与动力工程学院,江苏 镇江,212013 2.北京大学物理学院 宽禁带半导体研究中心，北京 100871 3.东莞中镓半导体科技有限公司，广东 东莞 523500 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辛晓龙[1],左然[2],童玉珍[3],等. MOVPE生长GaN的表面反应机理[J]. 发光学报,2015,36(7):744-750. |
| APA | 辛晓龙[1],左然[2],童玉珍[3],&张国义[4].(2015).MOVPE生长GaN的表面反应机理.发光学报,36(7),744-750. |
| MLA | 辛晓龙[1],et al."MOVPE生长GaN的表面反应机理".发光学报 36.7(2015):744-750. |
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