一种TiO2半导体光阳极的微弧氧化制备方法 | |
王云龙[1]; 王淼[2]; 朱林中[3]; 黄积伟[4]; 王丹丹[5]; 郭爽[6]; 刘茜茜[7]; 章娟[8]; 周源[9] | |
2015 | |
权利人 | 江苏大学 |
公开日期 | 2015-08-19 |
URL标识 | 查看原文 |
申请日期 | 2015-04-17 |
专利申请号 | CN201510182840.9 |
内容类型 | 专利 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5388972 |
专题 | 江苏大学 |
作者单位 | 江苏大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王云龙[1],王淼[2],朱林中[3],等. 一种TiO2半导体光阳极的微弧氧化制备方法. 2015-01-01. |
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