| 垂直转盘式MOCVD反应器进口温度对GaN生长的影响 | |
| Zuo, Ran[1]; Wang, Zong-Qi[2]; Chen, Peng[3] | |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 2015 | |
| 卷号 | 44期号:10页码:2778-2785 |
| 关键词 | MOCVD 进口温度 GaN 数值模拟 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | EI ; 中文核心期刊要目总览中国科技核心期刊CSCD |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5385369 |
| 专题 | 江苏大学 |
| 作者单位 | [1]School of Energy and Power Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang, China [2]School of Energy and Power Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang, China [3]School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zuo, Ran[1],Wang, Zong-Qi[2],Chen, Peng[3]. 垂直转盘式MOCVD反应器进口温度对GaN生长的影响[J]. 人工晶体学报,2015,44(10):2778-2785. |
| APA | Zuo, Ran[1],Wang, Zong-Qi[2],&Chen, Peng[3].(2015).垂直转盘式MOCVD反应器进口温度对GaN生长的影响.人工晶体学报,44(10),2778-2785. |
| MLA | Zuo, Ran[1],et al."垂直转盘式MOCVD反应器进口温度对GaN生长的影响".人工晶体学报 44.10(2015):2778-2785. |
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