| KH550-GO复合栅介质低压氧化物薄膜晶体管 | |
| 黄钰凯[1]; 凌智勇[2]; 邵枫[3]; 温娟[4] | |
| 刊名 | 电子元件与材料
 |
| 2016 | |
| 卷号 | 35期号:5页码:44-47 |
| 关键词 | 有源层 非晶铟锌氧化物 双电层效应 KH550-GO复合栅介质 薄膜晶体管 场效应迁移率 |
| ISSN号 | 1001-2028 |
| DOI | http://dx.doi.org/10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.05.011 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | 中国科技核心期刊 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5375156 |
| 专题 | 江苏大学 |
| 作者单位 | 1.江苏大学 机械工程学院,江苏 镇江,212013 2.南京大学 电子科学与工程学院,江苏 南京,210000 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄钰凯[1],凌智勇[2],邵枫[3],等. KH550-GO复合栅介质低压氧化物薄膜晶体管[J]. 电子元件与材料,2016,35(5):44-47. |
| APA | 黄钰凯[1],凌智勇[2],邵枫[3],&温娟[4].(2016).KH550-GO复合栅介质低压氧化物薄膜晶体管.电子元件与材料,35(5),44-47. |
| MLA | 黄钰凯[1],et al."KH550-GO复合栅介质低压氧化物薄膜晶体管".电子元件与材料 35.5(2016):44-47. |
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