CMP流场的数值模拟及离心力影响分析
高太元; 李明军; 胡利民; 高智
刊名力学学报
2008-11-18
卷号40期号:6页码:729-734
关键词化学机械抛光 离心力 润滑方程 压力分布 Chebyshev加速超松弛技术
其他题名HYDRODYNAMIC SIMULATION AND THE EFFECT OF CENTRIFUGAL FORCEFOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS
通讯作者高太元
中文摘要化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)是一项融合化学分解和机械力学的工艺,其中包含了流体动力润滑的作用.在已有润滑方程的基础上,提出并分析了带有离心力项的润滑方程.利用Chebyshev加速超松弛技术对有离心力项的润滑方程进行求解,得到离心力对抛光液压力分布的影响.数值模拟结果表明,压力分布与不带离心力项的润滑方程得出的明显不同;无量纲载荷和转矩随中心膜厚、转角、倾角、抛光垫旋转角速度等参数的变化趋势相同,但数值相差较大,抛光垫旋转角速度越大差别越大.
收录类别CSCD
语种中文
CSCD记录号CSCD:3498561
公开日期2009-08-03 ; 2010-08-20
内容类型期刊论文
源URL[http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/40026]  
专题力学研究所_力学所知识产出(1956-2008)
推荐引用方式
GB/T 7714
高太元,李明军,胡利民,等. CMP流场的数值模拟及离心力影响分析[J]. 力学学报,2008,40(6):729-734.
APA 高太元,李明军,胡利民,&高智.(2008).CMP流场的数值模拟及离心力影响分析.力学学报,40(6),729-734.
MLA 高太元,et al."CMP流场的数值模拟及离心力影响分析".力学学报 40.6(2008):729-734.
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