| 半导体激光元件及使用它的激光模块 | |
| 大久保敦; 冈田知; 藤本毅; 小矶武; 室清文; 大久保典雄; 大木泰 | |
| 2006-10-04 | |
| 著作权人 | 古河电气工业株式会社 |
| 专利号 | CN1278464C |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光元件及使用它的激光模块 |
| 英文摘要 | 本发明提供半导体激光元件，其振荡激光的振荡波长稳定、振荡频谱为多模式，具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构，且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡，是其振荡频谱为多模式的Fabry-Perot型半导体激光元件，设每1层阱层的光限制系数为г、1层阱层的厚度为d(nm)时，则г与d之间满足下式：г/d≤3×10-3nm-1的关系。 |
| 公开日期 | 2006-10-04 |
| 申请日期 | 2002-09-25 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43176]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保敦,冈田知,藤本毅,等. 半导体激光元件及使用它的激光模块. CN1278464C. 2006-10-04. |
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