| 非冷却光半导体装置 | |
| 冈田规男 | |
| 2014-08-13 | |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 专利号 | CN102593712B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 非冷却光半导体装置 |
| 英文摘要 | 本发明涉及非冷却光半导体装置。获得一种能够通过简单的结构正确地控制电场吸收型光调制器的偏置电压从而将光调制信号的平均强度保持为固定的非冷却光半导体装置。半导体激光器（1）输出激光。电场吸收型光调制器（2）吸收激光的光量根据施加到电场吸收型光调制器（2）的电压而变化。在电场吸收型光调制器（2）吸收激光时产生光吸收电流。监视光电二极管（4）对半导体激光器（1）的背面光进行监视。APC（AutoPowerControl）电路（5）将监视光电二极管（4）的光接收电流对供给到半导体激光器（1）的偏置电流进行反馈。偏置电路（6）将电场吸收型光调制器（2）的光吸收电流的平均值对施加到电场吸收型光调制器（2）的偏置电压进行反馈。 |
| 公开日期 | 2014-08-13 |
| 申请日期 | 2011-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43081]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冈田规男. 非冷却光半导体装置. CN102593712B. 2014-08-13. |
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