| 一种光子晶体或光子带隙垂直腔面发射激光器的制造方法 | |
| 达恩·比克达尔; 斯文·比朔夫; 迈克尔·尤尔; 芒努斯·哈尔·马森; 弗朗西斯·帕斯卡尔·罗姆斯塔德 | |
| 2010-10-13 | |
| 著作权人 | 阿赖特光子有限公司 |
| 专利号 | CN101467313B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种光子晶体或光子带隙垂直腔面发射激光器的制造方法 |
| 英文摘要 | 该发明涉及VCSEL的制造方法，其提供一种制造包含微/纳结构模式横向选择层的VCSEL的方法，通过适当地控制局部刻蚀来得到该微/纳结构层。该发明能以非常高的精度来控制微/纳结构层的厚度。特别地，该发明涉及一种制造具有微/纳结构模式选择层的VCSEL的方法，该模式选择层用于控制VCSEL的横向电磁模式。 |
| 公开日期 | 2010-10-13 |
| 申请日期 | 2007-05-29 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42978]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 阿赖特光子有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 达恩·比克达尔,斯文·比朔夫,迈克尔·尤尔,等. 一种光子晶体或光子带隙垂直腔面发射激光器的制造方法. CN101467313B. 2010-10-13. |
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