| 一种大功率671nm激光获取方法 | |
| 曹强; 潘昌基 | |
| 2017-10-20 | |
| 著作权人 | 北京理工大学 |
| 专利号 | CN104518418B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种大功率671nm激光获取方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及提出一种大功率671nm激光获取方法,属于激光应用技术领域。本发明方法用弱功率的种子激光注入锁定常温波长为658nm的高功率激光二极管，用阈值调节法找到最佳注入点，以达到获得220mW的670.98nm单模激光的目的。本发明方法可操作性强，获得的锂原子冷却激光单模性好，功率大。 |
| 公开日期 | 2017-10-20 |
| 申请日期 | 2014-12-25 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42964]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹强,潘昌基. 一种大功率671nm激光获取方法. CN104518418B. 2017-10-20. |
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