半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 | |
赵勇明; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 曾徐路; 于淑珍; 赵春雨; 杨辉 | |
2015-12-23 | |
著作权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
专利号 | CN103368074B |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 |
英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器有源区,所述有源区包括量子阱结构,所述量子阱结构中势阱层的材料为GaNmAs1-m-nBin,所述量子阱结构中势垒层的材料为GaNxAs1-x-yBiy,其中m=0.010~0.018,n=0.018~0.024;x=0.014~0,y=0.022~0;并且,本发明还公开了一种半导体激光器及其制作方法,该半导体激光器包括前述的有源区。本发明采用GaNAsBi材料作为半导体激光器有源区的材料,GaNAsBi的禁带宽度大小对温度极不敏感,基于该材料的激光器有源区拥有极佳的温度特性。 |
公开日期 | 2015-12-23 |
申请日期 | 2013-07-18 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42923] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵勇明,董建荣,李奎龙,等. 半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法. CN103368074B. 2015-12-23. |
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