| 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| 吉川 昌宏; 櫻井 淳; 山本 将央 | |
| 2012-03-16 | |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 专利号 | JP4946041B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高温高湿環境下において故障の発生を抑制し寿命の長い面発光型半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 VCSEL100は、基板102上に、n型のバッファ層104、n型の下部DBR106、活性領域108、電流狭窄層110、p型の上部DBR112、p型のGaAsコンタクト層114を含む半導体層が積層され、レーザ光を出射するポストPとパッド形成領域118とが半導体層に形成された溝116によって分離されている。そして、パッド形成領域118の外縁に、半導体槽をエッチングし基板に至る深さを有する外周溝140が形成され、外周溝140によって露出されたパッド形成領域の側面および表面(コンタクト層114)が層間絶縁膜120によって覆われている。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2012-06-06 |
| 申请日期 | 2005-12-22 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42898]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉川 昌宏,櫻井 淳,山本 将央. 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法. JP4946041B2. 2012-03-16. |
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