| A1N衬底上的GaN激光器及其制造方法 | |
| R·巴特; J·内皮尔拉; D·兹佐夫; C-E·扎 | |
| 2011-06-08 | |
| 著作权人 | 康宁股份有限公司 |
| 专利号 | CN101689749B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | A1N衬底上的GaN激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 提出了一种Ga(In)N基激光器结构及其相关制造方法，其中Ga(In)N基半导体激光器以避免半导体结构中不适当的拉伸应力所需要的方式形成在AlN或GaN衬底(20)上。根据本发明的一个实施例，Ga(In)N基半导体激光器提供在具有AlGaN晶格调整层(30)的AlN或GaN衬底上，其中激光器的衬底(20)、晶格调整层(30)、下覆区(60)、有源波导区(40)、上覆区(50)以及N和P型接触区(70，60)在半导体激光器中形成一结构连续。公开并要求保护了另外的实施例。 |
| 公开日期 | 2011-06-08 |
| 申请日期 | 2008-05-28 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42707]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 康宁股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | R·巴特,J·内皮尔拉,D·兹佐夫,等. A1N衬底上的GaN激光器及其制造方法. CN101689749B. 2011-06-08. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论