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	Semiconductive grey tin
	GOODMAN COLIN HOWARD LUDLOW
	1984-06-28
著作权人	INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION
专利号	DE3163756D1
国家	德国
文献子类	授权发明
其他题名	Semiconductive grey tin
英文摘要	Epitaxial thin layers of alpha -tin are grown by vapor phase epitaxy upon lattice-matched substrates of InSb or CdTe by the thermal decomposition of stannane. By using substrates of smaller lattice constant it is possible to modify the process to deposit alpha -tin germanium alloys.
公开日期	1984-06-28
申请日期	1981-08-13
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42354]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	GOODMAN COLIN HOWARD LUDLOW. Semiconductive grey tin. DE3163756D1. 1984-06-28.

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