| 光導波素子の製造方法 | |
| 飯塚 紀夫 | |
| 1999-07-16 | |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 专利号 | JP2954203B1 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光導波素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物半導体多重量子井戸を形成したサファイア基板を簡便な方法で除去することができ、導波構造の形成が容易となる。 【解決手段】 光半導体素子の製造方法において、サファイア基板10上にGaNバッファ層11を介してAlGaNクラッド層12を成長し、その上にサブバンド間遷移による光吸収層として機能するGaAlN/GaN多重量子井戸層13を形成したのち、InP基板20上にInGaAsP層21を介してInP接着層22を形成した半導体基体を、多重量子井戸層13にInP接着層22が接するように重ね、水素雰囲気中800℃,40分間の熱処理により接着し、しかるのち、基板を急冷して熱的応力を印加することによりGaN層11を粉砕し、半導体基体からサファイア基板10を切り離す。 |
| 公开日期 | 1999-09-27 |
| 申请日期 | 1998-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41715]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 飯塚 紀夫. 光導波素子の製造方法. JP2954203B1. 1999-07-16. |
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