基于光电器件的静态随机存取存储单元
陆颢瓒; 高秦昌; 戴瑞萍; 王德波
2018-12-14
著作权人南京邮电大学
专利号CN208240681U
国家中国
文献子类实用新型
其他题名基于光电器件的静态随机存取存储单元
英文摘要本实用新型公开了基于光电器件的静态随机存取存储单元,该静态随机存取存储单元的结构主要由发光二极管、光敏二极管、电源、光纤传输线组成;其中,PD1~PD4为光敏二极管,LD1、LD2为激光二极管。利用读/写1/写2三条IO光纤进行数据的读写,并控制存储单元的状态。本实用新型利用二极管进行存储功能,相比于传统的静态随机存取存储,其二极管工艺也具备高集成度的优点,利用光纤作为信号连接线,具有激光读写的高速度、高抗干扰、抗噪声等优点,同时可以兼容新兴的光处理器。
公开日期2018-12-14
申请日期2018-04-11
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41632]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位南京邮电大学
推荐引用方式
GB/T 7714
陆颢瓒,高秦昌,戴瑞萍,等. 基于光电器件的静态随机存取存储单元. CN208240681U. 2018-12-14.
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