一种高速集成DFB半导体激光器芯片
薛贤旺; 薛贤铨; 孙全意
2018-11-09
著作权人厦门市芯诺通讯科技有限公司
专利号CN208078380U
国家中国
文献子类实用新型
其他题名一种高速集成DFB半导体激光器芯片
英文摘要本实用新型公开一种高速集成DFB半导体激光器芯片,所述高速集成DFB半导体激光器芯片包括:衬底层、激光器结构、介质层、探测器结构、BCB层;所述激光器结构与所述探测器结构分别生长在所述衬底层上的两侧;在所述激光器结构与所述探测器结构之间生长所述介质层,且所述介质层位于所述衬底层上,所述BCB层填充在所述探测器结构的四周,且位于所述衬底层上。本实用新型实现激光器结构与探测器结构的单片集成,提高器件封装效率、降低成本。
公开日期2018-11-09
申请日期2018-05-10
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41465]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位厦门市芯诺通讯科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
薛贤旺,薛贤铨,孙全意. 一种高速集成DFB半导体激光器芯片. CN208078380U. 2018-11-09.
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