| 一种高速DFB半导体激光器 | |
| 薛贤铨; 薛贤旺; 孙全意 | |
| 2018-11-09 | |
| 著作权人 | 厦门市芯诺通讯科技有限公司 |
| 专利号 | CN208078379U |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种高速DFB半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本申请涉及一种高速DFB半导体激光器。在N‑InP衬底上，通过MOCVD生长有缓冲层、波导和量子阱结构、光栅层，并具有采用电子束光刻的方法在单颗芯片内写两种不同周期局部相移光栅；还具有再生长的InP盖层、InGaAsP过渡层，InGaAs欧姆接触层，完成材料的结构生长。在单颗芯片内制备两个倒台脊型波导，分别对应两种不同周期的光栅。本申请中并采用两种不同周期的光栅，来进一步改善光栅和增益谱匹配的问题，从而提高芯片的整体良率。 |
| 公开日期 | 2018-11-09 |
| 申请日期 | 2018-05-10 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41463]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门市芯诺通讯科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 薛贤铨,薛贤旺,孙全意. 一种高速DFB半导体激光器. CN208078379U. 2018-11-09. |
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