| 一种窄垂直方向远场发散角的激光器及其制备方法 | |
| 单智发 | |
| 2018-10-19 | |
| 著作权人 | 全磊光电股份有限公司 |
| 专利号 | CN106532433B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种窄垂直方向远场发散角的激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种该激光器的外延结构包括InP衬底，在InP衬底上由下向上依次沉积有缓冲层、N型外限制层、N型内限制层、非掺杂的折射率渐变的波导层、量子阱有源区、非掺杂的折射率渐变的波导层、P型内限制层、P型外限制层、腐蚀阻挡层、P型包层、P型势垒渐变层、P型势垒激变层、P形欧姆接触层,量子阱有源区量子阱对数不小于6对；量子阱为应变的量子阱结构，阱为压应变，垒为张应变；量子阱结构垒的厚度不小于10nm；N型内限制层为张应变结构层，N型内限制层采用AlInAs材料。该激光器可降低半导体激光器的垂直方向的远场发散角，提高激光器与光纤的耦合效率。 |
| 公开日期 | 2018-10-19 |
| 申请日期 | 2016-12-30 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41379]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 全磊光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 单智发. 一种窄垂直方向远场发散角的激光器及其制备方法. CN106532433B. 2018-10-19. |
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