| 用於近場記錄與再生之光學頭及其製造方法 | |
| 鄭永民; 李定觀 | |
| 2002-12-21 | |
| 著作权人 | 三星電子股份有限公司 |
| 专利号 | TW514905B |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 用於近場記錄與再生之光學頭及其製造方法 |
| 英文摘要 | 茲提供一種用於近場記錄與再生之光學頭，及此種光學頭之製造方法，其中在一滑塊上形成一垂直腔面放射雷射(VCSEL)及一光電檢測器，並以薄膜沉澱法在VCSEL及光電檢測器上直接形成一透鏡層、一光徑控制層及/或一線圈構件，由於用於記錄/再生資訊的光學系統與滑塊結合，所以使光學頭變小，而與採用彼此分離之滑塊與大尺寸光學系統的習式光學頭不同；因此，本光學頭之動態特徵獲得改進，減少搜尋目標磁軌所需的時間，而且使本光學頭適於微型資訊記錄與再生系統。 |
| 公开日期 | 2002-12-21 |
| 申请日期 | 2001-01-15 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41258]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星電子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鄭永民,李定觀. 用於近場記錄與再生之光學頭及其製造方法. TW514905B. 2002-12-21. |
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