光ポンプ拡張キャビティレーザを含むレーザデバイス
グローネンボルン,シュテファン
2018-06-22
著作权人コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ
专利号JP6357230B2
国家日本
文献子类授权发明
其他题名光ポンプ拡張キャビティレーザを含むレーザデバイス
英文摘要本発明は、個々のレーザビームのコントロールされた発光が可能なレーザデバイスを説明する。本レーザデバイスは、一つのゲインエレメントを伴う光ポンプ拡張キャビティレーザを含み、それにより、多数のポンプレーザが提供される。独立したポンプビーム、従って、対応するレーザビームを生成するためである。レーザデバイスは、簡素化または改善されたレーザシステムが可能となるように使用されてよい。例えば、2または3次元レーザプリンタのようなものである。ポンプレーザはVCSELであってよく、レーザは、同一のサブストレート上でポンプVCSELアレイとモノリシックに統合されたVECSELであってよい。ポンプミラーと外部キャビティミラーは、異なる曲率を有する領域を伴う一つの光リフレクタの中に統合されてよい。レーザ発光は、ポンピング光によってコントロールされる。つまり、レーザビームの横断形状及び/又はレーザビームの数量が、個々のポンプレーザのスイッチオン/オフによってコントロールされる。
公开日期2018-07-11
申请日期2014-10-21
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41074]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ
推荐引用方式
GB/T 7714
グローネンボルン,シュテファン. 光ポンプ拡張キャビティレーザを含むレーザデバイス. JP6357230B2. 2018-06-22.
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