一种小尺寸半导体激光器及其制备方法 | |
刘欢; 沈燕; 徐现刚; 王英 | |
2018-07-06 | |
著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
专利号 | CN104466676B |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 一种小尺寸半导体激光器及其制备方法 |
英文摘要 | 本发明提供一种小尺寸半导体激光器,所述半导体激光器的周期尺寸≤150μm。所述半导体激光器是纯条结构或带肩结构。一种上述小尺寸半导体激光器的制备方法,包括步骤如下:在半导体激光器芯片上制备欧姆接触层,经光刻、刻蚀制备周期尺寸≤150μm的管芯图形;对所述制备完欧姆接触层芯片的P面进行保护;对芯片的衬底进行减薄;将半导体激光器芯片清洗后放入蒸发台:蒸镀P面电极,P电极蒸镀完毕后翻架蒸镀N面电极。本发明将图形周期由200μm缩减为150μm,产出约为原来的3倍。本发明制备工艺步骤简单,节省生产所用原材料和人工工时;同时减少P面划伤、污染等问题,提升了P面质量。 |
公开日期 | 2018-07-06 |
申请日期 | 2013-09-22 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41026] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘欢,沈燕,徐现刚,等. 一种小尺寸半导体激光器及其制备方法. CN104466676B. 2018-07-06. |
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