一种小尺寸半导体激光器及其制备方法
刘欢; 沈燕; 徐现刚; 王英
2018-07-06
著作权人山东华光光电子股份有限公司
专利号CN104466676B
国家中国
文献子类授权发明
其他题名一种小尺寸半导体激光器及其制备方法
英文摘要本发明提供一种小尺寸半导体激光器,所述半导体激光器的周期尺寸≤150μm。所述半导体激光器是纯条结构或带肩结构。一种上述小尺寸半导体激光器的制备方法,包括步骤如下:在半导体激光器芯片上制备欧姆接触层,经光刻、刻蚀制备周期尺寸≤150μm的管芯图形;对所述制备完欧姆接触层芯片的P面进行保护;对芯片的衬底进行减薄;将半导体激光器芯片清洗后放入蒸发台:蒸镀P面电极,P电极蒸镀完毕后翻架蒸镀N面电极。本发明将图形周期由200μm缩减为150μm,产出约为原来的3倍。本发明制备工艺步骤简单,节省生产所用原材料和人工工时;同时减少P面划伤、污染等问题,提升了P面质量。
公开日期2018-07-06
申请日期2013-09-22
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41026]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
刘欢,沈燕,徐现刚,等. 一种小尺寸半导体激光器及其制备方法. CN104466676B. 2018-07-06.
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