一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法

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	一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法
	李睿; 胡晓东; 徐科; 代涛; 陈伟华; 胡成余; 包魁; 王彦杰; 张国义
	2010-06-09
著作权人	北京大学东莞光电研究院
专利号	CN101383480B
国家	中国
文献子类	授权发明
其他题名	一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法
英文摘要	本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化PECVD条件生长钝化层包裹整个激光器；在钝化层表面甩涂光刻胶，光刻P型电极窗口，并随后坚膜；采用湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀去除窗口区暴露的钝化层，然后保留原有光刻胶，烘干后直接电子束蒸镀P型Ni/Au电极；进行剥离，完成整个P型电极工艺。本发明尽可能地消除工艺流程中的不利因素对器件性能造成的影响，有效的提高了工艺可靠性及器件性能。
公开日期	2010-06-09
申请日期	2007-09-07
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40902]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京大学东莞光电研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	李睿,胡晓东,徐科,等. 一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法. CN101383480B. 2010-06-09.