一种用于半导体激光器的两级温度控制系统
全伟; 刘峰; 房建成; 陈熙; 李光慧
2017-09-12
著作权人北京航空航天大学
专利号CN105183034B
国家中国
文献子类授权发明
其他题名一种用于半导体激光器的两级温度控制系统
英文摘要本发明公开了一种用于半导体激光器的两级温度控制系统,包括第一级/第二级温度控制子系统、温度显示子系统以及电源子系统。第一级温度控制子系统作用于半导体激光二极管LD;采用模拟PID的控制方式,测温元件选用负温度系数热敏电阻NTC,执行器选用半导体制冷器TEC。第二级温度控制子系统用于控制整个温控系统的温度,保持电路的工作环境温度稳定;采用数字PID和PWM控制算法,测温元件用NTC,执行器选用TEC和散热风扇。温度显示子系统用于显示两级温控各自的设定温度和实际温度。电源子系统提供电路工作所需的电源。本发明采用两次温度控制的方式,减小了元件温度漂移对控制精度的影响,提高了控制精度并可延长系统工作寿命,提高系统的长时间稳定性。
公开日期2017-09-12
申请日期2015-08-04
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40537]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位北京航空航天大学
推荐引用方式
GB/T 7714
全伟,刘峰,房建成,等. 一种用于半导体激光器的两级温度控制系统. CN105183034B. 2017-09-12.
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