QQ客服 官方微博 反馈留言

	Fabrication method for horizontal direction semiconductor PN junction array
	MIN, SUK-KI; KIM, SEONG-IL; KIM, EUN KYU
	1999-03-16
著作权人	KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
专利号	US5882950
国家	美国
文献子类	授权发明
其他题名	Fabrication method for horizontal direction semiconductor PN junction array
英文摘要	A fabrication method for a horizontal direction semiconductor PN junction array which can be achieved when an epitaxial layer is grown by a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD method) by introducing (or doping) a small amount of CCl4 or CBr4 gas, includes forming a recess on an N type GaAs substrate by using a non-planar growth, performing a growth method of a P type epitaxial layer on the N type GaAs substrate by a metalorganic chemical vapor deposition method, and forming a horizontal direction PN junction array of P-GaAs/N-GaAs or P-AlGaAs/N-GaAs by introducing a gas comprising CCl4 or CBr4 .
公开日期	1999-03-16
申请日期	1996-12-27
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40117]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
推荐引用方式 GB/T 7714	MIN, SUK-KI,KIM, SEONG-IL,KIM, EUN KYU. Fabrication method for horizontal direction semiconductor PN junction array. US5882950. 1999-03-16.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。