半导体激光元件以及激光束偏转装置
野田进; 黑坂刚孝; 渡边明佳; 广瀬和义; 杉山贵浩
2016-09-28
著作权人国立大学法人京都大学
专利号CN103988379B
国家中国
文献子类授权发明
其他题名半导体激光元件以及激光束偏转装置
英文摘要对应于第1以及第2周期结构中的各个排列周期(a1、a2)的倒数的差分,在从半导体激光元件的厚度方向看的情况下,相对于第1驱动电极(E2)的长边方向成为规定的角度(δθ)的2个以上的激光束在半导体激光元件内部被生成,这些激光束的一方以在光出射端面上进行全反射的方式被设定,另一方的折射角(θ3)以小于90度的方式被设定。
公开日期2016-09-28
申请日期2012-12-05
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40004]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位国立大学法人京都大学
推荐引用方式
GB/T 7714
野田进,黑坂刚孝,渡边明佳,等. 半导体激光元件以及激光束偏转装置. CN103988379B. 2016-09-28.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace