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	粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及制备方法
	尧舜; 王立军; 刘云; 张彪; 姚迪; 王超
	2007-06-27
著作权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
专利号	CN1323472C
国家	中国
文献子类	授权发明
其他题名	粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及制备方法
英文摘要	本发明涉及粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及其制备方法。首先选取高导热金属材料制作成尺寸为(a×b×c)的矩形热沉胚体，在热沉胚体上制出直径R的通孔形成热沉基体，将圆柱体横截面分割成两半，在分割面上制出粗糙元胚体的粗糙元区，在粗糙元胚体的圆弧型底部涂焊料并嵌入通孔底部焊成整体，完成热沉的制作。结构包括：热沉基体1、通孔2和粗糙元胚体3。由于本发明引入了粗糙元技术加大通道内冷却水的湍流度，减小了水流热边界层的厚度，解决了大通道结构热阻高的缺点，提高了整体散热能力；本发明使整体结构简单、制备方便，避免了背景技术中为了减小热阻而采用微通道结构时的精密加工和焊接降低了制作成本和难度的问题。
公开日期	2007-06-27
申请日期	2005-04-18
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39870]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	尧舜,王立军,刘云,等. 粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及制备方法. CN1323472C. 2007-06-27.

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