| LED芯片及其制作方法 | |
| 陈朋; 齐胜利 | |
| 2017-09-12 | |
| 著作权人 | 上海蓝光科技有限公司 |
| 专利号 | CN104465895B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | LED芯片及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片的制作方法至少包括以下步骤：1）提供一透光衬底，在所述透光衬底上自下而上依次形成缓冲层、N型半导体层、发光层及P型半导体层；2）对步骤1）获得的结构周围进行刻蚀，形成第一台阶，所述第一台阶底面到达所述N型半导体层中；3）在所述P型半导体层上形成一反射层；4）在所述反射层上形成P电极层，在所述第一台阶底面上形成N电极层，得到LED芯片。本发明中N电极层形成于LED芯片外围一周，P电极层形成于LED芯片中间并被所述N电极层所环绕，此种结构更有利于电流的均匀扩散，提高发光效率；且LED芯片可直接封装在支架上，制备简单，更有利于芯片的散热，提高芯片的寿命。 |
| 公开日期 | 2017-09-12 |
| 申请日期 | 2013-09-18 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39478]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海蓝光科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈朋,齐胜利. LED芯片及其制作方法. CN104465895B. 2017-09-12. |
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