| Surface emitting semiconductor laser | |
| KONDO, TAKASHI | |
| 2013-04-16 | |
| 著作权人 | FUJI XEROX CO., LTD. |
| 专利号 | US8422531 |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Surface emitting semiconductor laser |
| 英文摘要 | A surface emitting semiconductor laser includes a substrate, an n-type lower DBR, an n-type cavity extending region formed on the lower DBR, an active region formed on the cavity extending region, and an upper DBR formed on the active region. A difference in refractive index between a relatively high refractive index layer and a relatively low refractive in the upper DBR is smaller than that in the lower DBR. |
| 公开日期 | 2013-04-16 |
| 申请日期 | 2010-07-08 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39330]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI XEROX CO., LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KONDO, TAKASHI. Surface emitting semiconductor laser. US8422531. 2013-04-16. |
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