| 低圧MOCVDを用いたエピタキシャル膜成長法 | |
| エリック·エス·ジョンソン | |
| 1999-01-08 | |
| 著作权人 | モトローラ·インコーポレーテッド |
| 专利号 | JP2870084B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 低圧MOCVDを用いたエピタキシャル膜成長法 |
| 英文摘要 | A method for growing high quality epitaxial films using low pressure MOCVD that includes providing a substrate that is misoriented from a singular plane, placing the substrate into an MOCVD reactor at a total pressure of less than 0.2 atmospheres and then growing an epitaxial film on the substrate. When providing a misoriented gallium arsenide substrate, the MOCVD reactor is set at a temperature in the range of 650 to 750 degrees centigrade to grow an aluminum gallium arsenide film. This temperature is substantially lower than that at which aluminum gallium arsenide epitaxial films are commonly grown and the resulting film has a smooth surface morphology and enhanced photoluminesence properties. |
| 公开日期 | 1999-03-10 |
| 申请日期 | 1990-01-24 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39326]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | モトローラ·インコーポレーテッド |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | エリック·エス·ジョンソン. 低圧MOCVDを用いたエピタキシャル膜成長法. JP2870084B2. 1999-01-08. |
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