| 发光器件和发光器件封装 | |
| 文用泰 | |
| 2015-04-22 | |
| 著作权人 | LG伊诺特有限公司 |
| 专利号 | CN102214760B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 发光器件和发光器件封装 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种发光器件和发光器件封装。发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间以发射第一波长的光的有源层；和布置在发光结构上的再发射层，该再发射层包括氮化物半导体，其中再发射层吸收第一波长范围的光并且再发射层发射比第一波长范围更长的第二波长范围的光，并且再发射层由分别具有不同的铟(In)组分的多个层构成，并且该多层中的铟含量在该多层的顶层中最大。 |
| 公开日期 | 2015-04-22 |
| 申请日期 | 2011-04-08 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39305]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | LG伊诺特有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 文用泰. 发光器件和发光器件封装. CN102214760B. 2015-04-22. |
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