一种基于PT布拉格反射波导的高功率半导体激光器及其制备方法
李俣; 彭瑞宏; 黄卫平
2019-09-27
著作权人山东大学
专利号CN109244828B
国家中国
文献子类授权发明
其他题名一种基于PT布拉格反射波导的高功率半导体激光器及其制备方法
英文摘要本发明涉及一种基于PT布拉格反射波导的高功率半导体激光器及其制备方法,属于半导体激光器技术,该装置包括InP衬底和InP包层,InP衬底和InP包层内设置有低折射率中心腔和位于低折射率中心腔两侧的PT布拉格反射光栅区;低折射率中心腔由低折射率材料包裹高折射率条波导构成,PT布拉格反射光栅区包括量子阱结构。本发明可实现高输出功率,同时该激光器具有能量转换效率(PCE)高、COD阈值高、激射阈值低、易散热等优点。
公开日期2019-09-27
申请日期2018-11-26
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38929]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位山东大学
推荐引用方式
GB/T 7714
李俣,彭瑞宏,黄卫平. 一种基于PT布拉格反射波导的高功率半导体激光器及其制备方法. CN109244828B. 2019-09-27.
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