半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置 | |
方瑞禹 | |
2019-09-03 | |
著作权人 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
专利号 | CN106207753B |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置 |
英文摘要 | 本发明提出一种半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置,本发明的半导体激光芯片,包括芯片单元和形成于所述芯片单元上的电极,所述芯片单元包括有源层,所述芯片单元一端形成有凹槽,所述凹槽的侧壁上形成有第一膜层,所述芯片单元上与所述凹槽的侧壁相对的表面上形成有第二膜层,且所述第一膜层和所述第二膜层的反射率不同。本发明的半导体激光芯片可提高生产效率和产品质量。 |
公开日期 | 2019-09-03 |
申请日期 | 2016-09-06 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38890] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 方瑞禹. 半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置. CN106207753B. 2019-09-03. |
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