| 一种平面结构的VCSEL芯片 | |
| 赵炆兼; 贾钊; 郭冠军; 曹广亮; 彭钰仁 | |
| 2019-07-12 | |
| 著作权人 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 专利号 | CN209104569U |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种平面结构的VCSEL芯片 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了一种平面结构的VCSEL芯片，在VCSEL芯片的欧姆接触层一侧，形成有主氧化孔和辅助氧化孔，进而通过主氧化孔和辅助氧化孔能够对限制层进行氧化处理，形成对应导电区为导电结构层和其余部分区为氧化结构层的限制层，以通过氧化结构层达到限制电流的目的，而使得电流自导电结构层处流过，该制作方法工艺简单，且生产成本低。 |
| 公开日期 | 2019-07-12 |
| 申请日期 | 2019-01-18 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38734]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵炆兼,贾钊,郭冠军,等. 一种平面结构的VCSEL芯片. CN209104569U. 2019-07-12. |
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