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	Group-III nitride epitaxial layer on silicon substrate
	CHEN, DING-YUAN; YU, CHEN-HUA
	2012-10-02
著作权人	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
专利号	US8278125
国家	美国
文献子类	授权发明
其他题名	Group-III nitride epitaxial layer on silicon substrate
英文摘要	A semiconductor device includes a silicon substrate; silicon faceted structures formed on a top surface of the silicon substrate; and a group-III nitride layer over the silicon faceted structures. The silicon faceted structures are separated from each other, and have a repeated pattern.
公开日期	2012-10-02
申请日期	2011-09-02
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38572]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	CHEN, DING-YUAN,YU, CHEN-HUA. Group-III nitride epitaxial layer on silicon substrate. US8278125. 2012-10-02.

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