一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片及激光器
彭钰仁; 贾钊; 许晏铭; 洪来荣; 陈为民; 陈进顺; 翁妹芝; 张坤铭; 朱鸿根
2019-05-21
著作权人厦门乾照半导体科技有限公司
专利号CN208890095U
国家中国
文献子类实用新型
其他题名一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片及激光器
英文摘要本申请提供了一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片及激光器,包括:衬底,依次形成于衬底上的外延层、绝缘层和电极层,外延层包括位于衬底上的N型层和位于N型层上的柱状层,柱状层包括位于N型层上的发光层和位于发光层上的P型层;柱状层与N型层上表面形成第一暴露区域;绝缘层包覆柱状层以及第一暴露区域,且与P型层上表面形成第二暴露区域,与N型层上表面形成第三暴露区域;电极层包括第一电极层和第二电极层;第一电极层包覆绝缘层,且在第二暴露区域,与P型层上表面形成第四暴露区域,与位于N型层上的、形成第三暴露区域一侧的绝缘层的水平面形成第五暴露区域;第二电极层位于第三暴露区域上。本申请实施例提高了芯片的散热性能。
公开日期2019-05-21
申请日期2018-10-16
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38496]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位厦门乾照半导体科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
彭钰仁,贾钊,许晏铭,等. 一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片及激光器. CN208890095U. 2019-05-21.
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