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	一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及激光器
	彭钰仁; 贾钊; 许晏铭; 洪来荣; 陈为民; 陈进顺; 翁妹芝; 张坤铭; 朱鸿根
	2019-05-21
著作权人	厦门乾照半导体科技有限公司
专利号	CN208890097U
国家	中国
文献子类	实用新型
其他题名	一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及激光器
英文摘要	本申请实施例提供了一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及激光器，其中，该垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层；所述衬底背面形成有N型电极层；所述电流限制层包括形成于所述发光层上的第一电流限制层和形成于所述第一电流限制层上第二电流限制层；所述第一电流限制层包括第一电流注入区域；所述第二电流限制层包括与所述第一电流注入区域对应的第二电流注入区域，所述第一电流注入区域的横截面积小于所述第二电流注入区域的横截面积；所述P型电极层包括与所述第二电流注入区域对应的出光孔。本申请实施例提高了垂直腔面发射激光器的单模效果。
公开日期	2019-05-21
申请日期	2018-10-16
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38494]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	厦门乾照半导体科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	彭钰仁,贾钊,许晏铭,等. 一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及激光器. CN208890097U. 2019-05-21.

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