二维光子准晶宽区半导体激光器结构 | |
贾志伟; 王利军; 张锦川; 刘峰奇; 刘俊岐; 王占国 | |
2019-05-17 | |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
专利号 | CN106025797B |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 二维光子准晶宽区半导体激光器结构 |
英文摘要 | 本发明公开了一种二维光子准晶宽区半导体激光器结构,包括:一衬底;一下波导;一下限制层;一有源区;一上限制层;一上波导;一接触层;一钝化层;一正面电极;一背面电极;一制作于上限制层的二维光子准晶阵列,从接触层到下波导刻蚀出条形宽区台面,钝化层包覆整个台面并在台面顶端开出电注入窗口,上电极在钝化层之上,在电注入窗口区域与接触层形成欧姆接触用于电注入,同时为有源区提供散热通道;背面电极与衬底形成欧姆接触,用于另一极电注入。 |
公开日期 | 2019-05-17 |
申请日期 | 2016-07-18 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38483] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾志伟,王利军,张锦川,等. 二维光子准晶宽区半导体激光器结构. CN106025797B. 2019-05-17. |
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