| 半导体激光装置 | |
| 郑宇进; 菅博文 | |
| 2019-05-10 | |
| 著作权人 | 浜松光子学株式会社 |
| 专利号 | CN106104948B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。 |
| 公开日期 | 2019-05-10 |
| 申请日期 | 2015-03-03 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38463]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浜松光子学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑宇进,菅博文. 半导体激光装置. CN106104948B. 2019-05-10. |
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