半导体激光装置 | |
郑宇进; 菅博文 | |
2019-05-10 | |
著作权人 | 浜松光子学株式会社 |
专利号 | CN106104948B |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 半导体激光装置 |
英文摘要 | 本发明所涉及的半导体激光装置具备:半导体激光阵列,出射慢轴方向的发散角为θs(>4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成;第1光学元件,在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层;第2光学元件,在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层;第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置,第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。 |
公开日期 | 2019-05-10 |
申请日期 | 2015-03-03 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38463] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 浜松光子学株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑宇进,菅博文. 半导体激光装置. CN106104948B. 2019-05-10. |
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